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| Référence | TPCC8005-H(TE12LQM |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON |
| Fiche technique | |
| paquet | 8-VDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| En stock | 4 256 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 16 - mai 21 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | 8-VDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| Séries | U-MOSVI-H |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Ta) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 6.4 mOhm @ 13A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-TSON |
| Paquet / cas | 8-VDFN Exposed Pad |
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SIT9120AI-2B1-XXS106.250000E | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.25V-3, 6-SMD, No Lead, U-MOSVI-H | Vue |
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SIT1602BI-72-25S-50.000000D | SiTIME, -40 TO 85C, 2016, 25PPM, 2.5V, 5, -, U-MOSVI-H | Vue |
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1812Y0500222FFR | Knowles Syfer, CAP CER 2200PF 50V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), U-MOSVI-H | Vue |
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C1210C223K5RACTU | KEMET, CAP CER 0.022UF 50V X7R 1210, 1210 (3225 Metric), U-MOSVI-H | Vue |
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VS-MBRD660CT-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK, TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, U-MOSVI-H | Vue |
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TXS2SL-L2-6V | Panasonic Electric Works, RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V, -, U-MOSVI-H | Vue |
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M55342K03B1B82RWS | Vishay Dale, RES SMD 1.82K OHM 0.1% 1/5W 1005, 1005, U-MOSVI-H | Vue |
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ERJ-L06UJ63MV | Panasonic Electronic Components, RES SMD 0.063 OHM 5% 1/4W 0805, 0805 (2012 Metric), U-MOSVI-H | Vue |
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1676557-1 | TE Connectivity Passive Product, RES CHAS MNT 400M OHM 5% 100W, Axial, Tubular, U-MOSVI-H | Vue |
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PRM162-K420K-203B1 | Bourns Inc., POT 20K OHM 1/10W CARBON LINEAR, -, U-MOSVI-H | Vue |
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75-194622-9P | Amphenol Industrial Operations, CONN PLUG W/PINS, -, U-MOSVI-H | Vue |
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97-3108B20-16P | Amphenol Industrial Operations, 97-3108B20-16P, -, U-MOSVI-H | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPCC8005-H(TE12LQM |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPCC8005-H(TE12LQM D# TPCC8005-H(TE12LQMTR-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPCC8005-H(TE12LQM D# NS-TPCC8005-H(TE12LQM |
Toshiba Semiconductor and Storage |
OEM/CM ONLY |
5825 |
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