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TPC6503-TE85L-F-M

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Pour Référence Seulement

Référence TPC6503-TE85L-F-M
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description TRANS NPN 30V 1.5A VS-6
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications TPC6503-TE85L-F-M

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
paquet-
ECAD
SériesU-MOSVII
Type de transistorNPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)1.5 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic120mV @ 10mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce400 @ 150mA, 2V
Puissance - Max1.6 W
Fréquence - Transition-
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseurVS-6 (2.9x2.8)

TPC6503-TE85L-F-M Packaging

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Sealing
Packing
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TPC6503-TE85L-F-M FAQ

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