Name: TP65H070G4LSG-TR
Brand: Transphorm
SKU: TP65H070G4LSG-TR
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

TP65H070G4LSG-TR

Pour Référence Seulement

Référence	TP65H070G4LSG-TR
Fabricant	Transphorm
Description	GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 118 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 25 - nov. 30 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications TP65H070G4LSG-TR

Fabricant	Transphorm
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	SuperGaN®
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	96W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	85mOhm @ 16A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	3-PQFN (8x8)
Paquet / cas	3-PowerTDFN

TP65H070G4LSG-TR Packaging

TP65H070G4LSG-TR FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TP65H070G4LSG-TR.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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