| Référence | SSM6P35AFE-LF |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description | MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6 |
| Fiche technique | |
| paquet | - |
| ECAD |
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| En stock | 23 136 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | juil. 6 - juil. 11 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| paquet | - |
| ECAD |
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| Séries | U-MOSVII |
| Type de FET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fonction FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 10V |
| Puissance - Max | 150mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | ES6 |
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