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Référence | SQ2361EES-T1-GE3 |
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Fabricant | Vishay Siliconix |
Description | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 |
Fiche technique | |
paquet | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
En stock | 102 502 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | Expédition possible immédiatement |
Temps de livraison estimé | mars 10 - mars 15 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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Fabricant | Vishay Siliconix |
Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
paquet | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Séries | TrenchFET? |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension de drain à la source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) |
Rds sur (max) @ id, vgs | 150 mOhm @ 2.4A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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