Name: SI7212DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7212DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (166 reviews)

SI7212DN-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI7212DN-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Fiche technique	SI7212DN-T1-GE3 Fiche technique
paquet	PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
En stock	161 460 piece(s)
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Spécifications SI7212DN-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
Séries	-
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.9A
Rds sur (max) @ id, vgs	36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK? 1212-8 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK? 1212-8 Dual

SI7212DN-T1-GE3 fiche technique

SI7212DN-T1-GE3 Packaging

SI7212DN-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI7212DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI7212DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of SI7212DN-T1-GE3?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI7212DN-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI7212DN-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI7212DN-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI7212DN-T1-GE3 pin diagram, SI7212DN-T1-GE3 datasheet?

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SI7212DN-T1-GE3 Produits Connexes

SIT8208AI-G1-28S-37.500000Y	SiTIME, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 2.8V, 3, -, -	Vue
M39003/01-2787/HSD	Vishay Sprague, CAP TANT 22UF 20% 35V AXIAL, Axial, -	Vue
TAP475M050GSB	AVX Corporation, CAP TANT 4.7UF 50V 20% RADIAL, Radial, -	Vue
1812Y5000102GAT	Knowles Syfer, CAP CER 1812, -, -	Vue
RS02B5R000FS70	Vishay Dale, RES 5.0 OHM 3W 1% WW AXIAL, Axial, -	Vue
766141561GP	CTS Resistor Products, RES ARRAY 13 RES 560 OHM 14SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), -	Vue
103R-152GS	API Delevan Inc., FIXED IND 1.5UH 340MA 840 MOHM, 2-SMD, No Lead, -	Vue
EHT-112-01-FM-D	Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, -	Vue
20021521-00064D1LF	Amphenol FCI, HD SMT SHRD, -, -	Vue
DWM-20-58-S-D-433	Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, -	Vue
1408407	Phoenix Contact, PROTECTIVE COVER FOR HC-COM-K, -, -	Vue
TV07RQF-25-46SC-LC	Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSG FMALE 46POS PNL MT, -, -	Vue

SI7212DN-T1-GE3 Des garanties

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SI7212DN-T1-GE3

D# V72:2272_09216299

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant

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SI7212DN-T1-GE3

D# SI7212DN-T1-GE3

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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7212DN-T1-GE3)

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D# SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7212DN-T1-GE3)

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Vishay Intertechnologies

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MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

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Vishay Intertechnologies

DualN-Channel -30V 4.9A 1.6V @ 250uA 36mohms @ 6.8A,10V 1.3W PowerPAK 1212-8 MOSFET RoHS

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SI7212DN-T1-GE3

D# SI7212DN-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

1017

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MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SI7212DNT1GE3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11900

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Vishay Huntington

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SI7212DN-T1-GE3

D# C143766

Vishay Intertechnologies

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

88000

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SI7212DN-T1-GE3

D# 781-SI7212DN-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

RoHS: Compliant

2908

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SI7212DN-T1-GE3

D# 18X0020

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 4.9A, POWERPAK, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4.9A, On Resistance Rds(on):0.03ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:600mVRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: Cut Tape

SI7212DN-T1-GE3.

D# 30AC0188

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4.9A, On Resistance Rds(on):0.03ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

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SI7212DN-T1-GE3

D# NS-SI7212DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6089

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SI7212DNT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

1199

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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

87985

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SI7212DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

pbFree: Pb-Free

Référence

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SI7212DN-T1-GE3

D# 34655291

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant

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SI7212DN-T1-GE3

Qualité certifiée

L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.

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