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SI5915DC-T1-GE3

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SI5915DC-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI5915DC-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Fiche technique

SI5915DC-T1-GE3 Fiche technique

paquet 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Spécifications SI5915DC-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet8-SMD, Flat Lead
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3.4A
Rds sur (max) @ id, vgs70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.1W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur1206-8 ChipFET?

SI5915DC-T1-GE3 fiche technique

SI5915DC-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI5915DC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5915DC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5915DC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5915DC-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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