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SI5402DC-T1-GE3

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SI5402DC-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI5402DC-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Fiche technique

SI5402DC-T1-GE3 Fiche technique

paquet 8-SMD, Flat Lead
ECAD
En stock 5 856 piece(s)
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Spécifications SI5402DC-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-SMD, Flat Lead
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.9A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.3W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs35 mOhm @ 4.9A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur1206-8 ChipFET?
Paquet / cas8-SMD, Flat Lead

SI5402DC-T1-GE3 fiche technique

SI5402DC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5402DC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5402DC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5402DC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5402DC-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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