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SI4752DY-T1-GE3

SI4752DY-T1-GE3

SI4752DY-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI4752DY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
Fiche technique

SI4752DY-T1-GE3 Fiche technique

paquet 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En stock 2 368 piece(s)
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Spécifications SI4752DY-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SériesSkyFET?, TrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C25A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Fonction FETSchottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs5.5 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SO
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4752DY-T1-GE3 fiche technique

SI4752DY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4752DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4752DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4752DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4752DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4752DY-T1-GE3 Produits Connexes

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MOSFET N-CH 30V 25A 8SO

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