Name: SI4561DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4561DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

SI4561DY-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI4561DY-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Fiche technique	SI4561DY-T1-E3 Fiche technique
paquet	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En stock	60 000 piece(s)
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Spécifications SI4561DY-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	N and P-Channel
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.8A, 7.2A
Rds sur (max) @ id, vgs	35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 20V
Puissance - Max	3W, 3.3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO

SI4561DY-T1-E3 fiche technique

SI4561DY-T1-E3 Packaging

SI4561DY-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI4561DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4561DY-T1-E3 Produits Connexes

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Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

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Vishay Intertechnologies

Power Field-Effect Transistor, N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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D# SI4561DY-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

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