Name: SI4330DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4330DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

SI4330DY-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI4330DY-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Fiche technique	SI4330DY-T1-E3 Fiche technique
paquet	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
En stock	666 552 piece(s)
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Spécifications SI4330DY-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.6A
Rds sur (max) @ id, vgs	16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO

SI4330DY-T1-E3 fiche technique

SI4330DY-T1-E3 Packaging

SI4330DY-T1-E3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI4330DY-T1-E3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4330DY-T1-E3 Produits Connexes

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Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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