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SI3981DV-T1-GE3

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SI3981DV-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI3981DV-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Fiche technique

SI3981DV-T1-GE3 Fiche technique

paquet SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Spécifications SI3981DV-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquetSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.6A
Rds sur (max) @ id, vgs185 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max800mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur6-TSOP

SI3981DV-T1-GE3 fiche technique

SI3981DV-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI3981DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3981DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3981DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3981DV-T1-GE3?
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SI3981DV-T1-GE3 Produits Connexes

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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
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