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| Référence | SI2308BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Description | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| En stock | 927 108 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | Expédition possible immédiatement |
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| Services de livraison |
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| Séries | TrenchFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 156 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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SIT8008BI-12-33E-25.00000D | SiTIME, OSC MEMS 25.0000MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchFET? | Vue |
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GRM0335C1H3R1CD01D | Murata, CAP CER 3.1PF 50V NP0 0201, 0201 (0603 Metric), TrenchFET? | Vue |
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1206Y0630560FCT | Knowles Syfer, CAP CER 1206, 1206 (3216 Metric), TrenchFET? | Vue |
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HS1KL RFG | TSC America Inc., DIODE, HIGH EFFICIENT, 1A, 800V,, DO-219AB, TrenchFET? | Vue |
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AT40K10-2AJC | Microchip Technology, IC FPGA 62 I/O 84PLCC, 84-LCC (J-Lead), TrenchFET? | Vue |
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RNC50J3412BSB14 | Vishay Dale, RES 34.1K OHM 1/10W .1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Vue |
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SRR1210A-120M | Bourns Inc., FIXED IND 12UH 6.3A 22 MOHM SMD, Nonstandard, TrenchFET? | Vue |
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LQW03AW2N7C00D | Murata, FIXED IND 2.7NH 720MA 60 MOHM, Nonstandard, TrenchFET? | Vue |
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830-80-009-40-001101 | Preci-Dip, CONN HDR 9POS 2MM SMD R/A, -, TrenchFET? | Vue |
|
1-5353134-0 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN PLUG 280POS .6MM FH 6H SMD, -, TrenchFET? | Vue |
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8LT717B99SN | Souriau, 8LT 23C 21#20 2#16 SKT J/N, -, TrenchFET? | Vue |
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XC7S15-2CSGA225C | Xilinx Inc., XC7S15-2CSGA225C, 225-LFBGA, CSPBGA, TrenchFET? | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 70026410 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 192mohm, Id 2.3A, SOT-23, Pd 1.66W RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# E02:0323_00529766 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2308BDS-T1-GE3) |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2308BDS-T1-GE3) |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2308BDS-T1-GE3) |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
STOCK |
9000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 1545 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
230769 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 60V 2.3A 3V @ 250uA 156mohms @ 1.9A,10V 1W SOT-23-3 MOSFET RoHS |
39506 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# SI2308BDS-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
68655 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 2371202 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
SI2308BDS Series N-Channel 60 V 0.156 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
303000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1288770 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# C12298 |
Vishay Intertechnologies | 36151 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
in stock - can ship the same day |
450 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
500000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 781-SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 RoHS: Compliant
|
30036 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# XSCRSN000010099 |
Vishay Intertechnologies | 2315 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 71T8044 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:2.3A, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# NS-SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
156072 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
1900 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
2602 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 7103257 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3, PK Min Qty: 20
Container: Package
|
1680 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# TMOSS6321 |
Vishay Intertechnologies |
N-CHAN.-FET 2,3A 60V SOT23 RoHS: Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
47033 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
499985 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 pbFree: Pb-Free
|
0 |
SI2308BDS-T1-GE3. |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
22996 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 53528000 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
mfr |
RFQ |
5812 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
54037 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI2308BDS-T1-GE3 D# 1838997RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 60V, 2.3A, SOT23-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
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+86-755-83210135-818
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