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SI2308BDS-T1-GE3

hot SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI2308BDS-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Fiche technique

SI2308BDS-T1-GE3 Fiche technique

paquet TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Spécifications SI2308BDS-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs6.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 30V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs156 mOhm @ 1.9A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2308BDS-T1-GE3 fiche technique

SI2308BDS-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI2308BDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2308BDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2308BDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2308BDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2308BDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2308BDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of SI2308BDS-T1-GE3?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2308BDS-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2308BDS-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as SI2308BDS-T1-GE3 pin diagram, SI2308BDS-T1-GE3 datasheet?
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SI2308BDS-T1-GE3 Produits Connexes

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GRM0335C1H3R1CD01D GRM0335C1H3R1CD01D Murata, CAP CER 3.1PF 50V NP0 0201, 0201 (0603 Metric), TrenchFET? Vue
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HS1KL RFG HS1KL RFG TSC America Inc., DIODE, HIGH EFFICIENT, 1A, 800V,, DO-219AB, TrenchFET? Vue
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830-80-009-40-001101 830-80-009-40-001101 Preci-Dip, CONN HDR 9POS 2MM SMD R/A, -, TrenchFET? Vue
1-5353134-0 1-5353134-0 TE Connectivity AMP Connectors, CONN PLUG 280POS .6MM FH 6H SMD, -, TrenchFET? Vue
8LT717B99SN 8LT717B99SN Souriau, 8LT 23C 21#20 2#16 SKT J/N, -, TrenchFET? Vue
XC7S15-2CSGA225C XC7S15-2CSGA225C Xilinx Inc., XC7S15-2CSGA225C, 225-LFBGA, CSPBGA, TrenchFET? Vue

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Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# 70026410

Vishay Siliconix

MOSFET, N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 192mohm, Id 2.3A, SOT-23, Pd 1.66W

RoHS: Not Compliant
0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# E02:0323_00529766

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2308BDS-T1-GE3)

0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2308BDS-T1-GE3)

0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2308BDS-T1-GE3)

0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

STOCK

9000
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

1545
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

230769
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel 60V 2.3A 3V @ 250uA 156mohms @ 1.9A,10V 1W SOT-23-3 MOSFET RoHS

39506
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# SI2308BDS-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

68655
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# 2371202

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SI2308BDS Series N-Channel 60 V 0.156 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
303000
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1288770
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# C12298

Vishay Intertechnologies

36151
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

in stock - can ship the same day

450
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

500000
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# 781-SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

RoHS: Compliant
30036
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# XSCRSN000010099

Vishay Intertechnologies

2315
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# 71T8044

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:2.3A, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3VRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# NS-SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

156072
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

1900 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

2602
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# 7103257

Vishay Intertechnologies

N-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2308BDS-T1-GE3, PK

Min Qty: 20
Container: Package
1680
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

D# TMOSS6321

Vishay Intertechnologies

N-CHAN.-FET 2,3A 60V SOT23

RoHS: Compliant
0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

47033
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

499985
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

pbFree: Pb-Free
0

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
0
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Vishay Huntington

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SI2308BDS-T1-GE3

D# 53528000

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Référence Fabricant Description Stock

SI2308BDS-T1-GE3

mfr

RFQ

5812
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SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Huntington

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

54037
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SI2308BDS-T1-GE3

D# 1838997RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CH, 60V, 2.3A, SOT23-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0

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IC REG BUCK ADJ 4A QD SYNC 77BGA

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IGBT 600V 200A 660W TO247

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