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SI1912EDH-T1-E3

hot SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence SI1912EDH-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Fiche technique

SI1912EDH-T1-E3 Fiche technique

paquet 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Spécifications SI1912EDH-T1-E3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SériesTrenchFET?
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.13A
Rds sur (max) @ id, vgs280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 100µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max570mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurSC-70-6 (SOT-363)

SI1912EDH-T1-E3 fiche technique

SI1912EDH-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1912EDH-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1912EDH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1912EDH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1912EDH-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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  • 7.How to contact us to get technical supports, such as SI1912EDH-T1-E3 pin diagram, SI1912EDH-T1-E3 datasheet?
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D# 70459658

Vishay Siliconix

SI1912EDH-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363

RoHS: Not Compliant
0
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Vishay Intertechnologies

3887
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R

75000
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SI1912EDH-T1-E3

D# SI1912EDH-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

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Vishay Siliconix

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1061
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D# 1612641

Vishay Intertechnologies

MOSFET, NN CH, 20V, SOT363

RoHS: Compliant
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Vishay Intertechnologies

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