Name: SI1039X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1039X-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (129 reviews)

SI1039X-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI1039X-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
Fiche technique	SI1039X-T1-GE3 Fiche technique
paquet	SOT-563, SOT-666
ECAD
En stock	36 000 piece(s)
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Spécifications SI1039X-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	SOT-563, SOT-666
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	870mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	170mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	165 mOhm @ 870mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SC-89-6
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666

SI1039X-T1-GE3 fiche technique

SI1039X-T1-GE3 Packaging

SI1039X-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI1039X-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI1039X-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI1039X-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI1039X-T1-GE3 Produits Connexes

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P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET- LEAD FREE

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D# SI1039X-T1-GE3TR-ND

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VBsemi Electronics Co Ltd

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