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SI1012X-T1-GE3

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SI1012X-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SI1012X-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Fiche technique

SI1012X-T1-GE3 Fiche technique

paquet SC-89, SOT-490
En stock 256 702 piece(s)
Prix unitaire $ 0,1307 *
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Spécifications SI1012X-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSC-89, SOT-490
SériesTrenchFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C500mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)±6V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)250mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSC-89-3
Paquet / casSC-89, SOT-490

SI1012X-T1-GE3 fiche technique

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