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RN4909-LF-CT

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Pour Référence Seulement

Référence RN4909-LF-CT
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 9 000 piece(s)
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Spécifications RN4909-LF-CT

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition200MHz, 250MHz
Puissance - Max200mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurUS6

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Sealing
Packing
Insepction

RN4909-LF-CT FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN4909-LF-CT is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the RN4909-LF-CT price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN4909-LF-CT?
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