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RN1608(TE85L,F)

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Pour Référence Seulement

Référence RN1608(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Fiche technique
paquet SC-74, SOT-457
ECAD
En stock 5 616 piece(s)
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Spécifications RN1608(TE85L,F)

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquetSC-74, SOT-457
ECAD
Séries-
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max300mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseurSM6

RN1608(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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RN1608(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1608(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# RN1608(TE85L,F)

Toshiba America Electronic Components

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R (Alt: RN1608(TE85L,F))

0
Référence Fabricant Description Stock

RN1608(TE85L,F)

D# RN1608(TE85LF)CT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

2891

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