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RJL6018DPK-00#T0

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Pour Référence Seulement

Référence RJL6018DPK-00#T0
Fabricant Renesas Electronics America
Description MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
Fiche technique

RJL6018DPK-00#T0 Fiche technique

paquet TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En stock 5 392 piece(s)
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Spécifications RJL6018DPK-00#T0

FabricantRenesas Electronics America
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C27A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3830pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)200W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs265 mOhm @ 13.5A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-3P
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3

RJL6018DPK-00#T0 fiche technique

RJL6018DPK-00#T0 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET - Rail/Tube

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D# RJL6018DPK-00#T0-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

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D# NS-RJL6018DPK-00#T0

Renesas Electronics Corporation

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