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PSMN3R8-30LL,115

PSMN3R8-30LL,115

PSMN3R8-30LL,115

Pour Référence Seulement

Référence PSMN3R8-30LL,115
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 30V QFN3333
Fiche technique
paquet 8-VDFN Exposed Pad
ECAD
En stock 2 224 piece(s)
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Spécifications PSMN3R8-30LL,115

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C40A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2085pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)69W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.7 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paquet / cas8-VDFN Exposed Pad

PSMN3R8-30LL,115 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

PSMN3R8-30LL,115 FAQ

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PSMN3R8-30LL,115 Produits Connexes

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