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PHT11N06LT,135

PHT11N06LT,135

PHT11N06LT,135

Pour Référence Seulement

Référence PHT11N06LT,135
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
Fiche technique
paquet TO-261-4, TO-261AA
ECAD
En stock 6 672 piece(s)
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Spécifications PHT11N06LT,135

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.9A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 25V
Vgs (Max)±13V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs40 mOhm @ 5A, 5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-223
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

PHT11N06LT,135 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

PHT11N06LT,135 FAQ

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  • 3. Are the PHT11N06LT,135 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PHT11N06LT,135?
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