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PHD34NQ10T,118

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PHD34NQ10T,118

Pour Référence Seulement

Référence PHD34NQ10T,118
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Fiche technique
paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 4 256 piece(s)
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Spécifications PHD34NQ10T,118

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C35A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1704pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs40 mOhm @ 17A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDPAK
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PHD34NQ10T,118 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PHD34NQ10T,118 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHD34NQ10T,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PHD34NQ10T,118 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PHD34NQ10T,118?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PHD34NQ10T,118.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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PHD34NQ10T,118 Produits Connexes

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 35
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