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PHB119NQ06T,118

PHB119NQ06T,118

PHB119NQ06T,118

Pour Référence Seulement

Référence PHB119NQ06T,118
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Fiche technique

PHB119NQ06T,118 Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 2 608 piece(s)
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Spécifications PHB119NQ06T,118

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2820pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)200W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs7.1 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PHB119NQ06T,118 fiche technique

PHB119NQ06T,118 Packaging

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    (1)Inform us within 90 days
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