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NTLJD4150PTBG

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Pour Référence Seulement

Référence NTLJD4150PTBG
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Fiche technique
paquet 6-WDFN Exposed Pad
ECAD
En stock 5 760 piece(s)
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Spécifications NTLJD4150PTBG

FabricantON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet6-WDFN Exposed Pad
ECAD
Séries-
Type de FET2 P-Channel (Dual)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.8A
Rds sur (max) @ id, vgs135 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
Puissance - Max700mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur6-WDFN (2x2)

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Packing
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NTLJD4150PTBG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTLJD4150PTBG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NTLJD4150PTBG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTLJD4150PTBG?
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