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MSCSM120AM08T3AG

MSCSM120AM08T3AG

MSCSM120AM08T3AG

Pour Référence Seulement

Référence MSCSM120AM08T3AG
Fabricant Microchip Technology
Description SIC 2N-CH 1200V 337A
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MSCSM120AM08T3AG

FabricantMicrochip Technology
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C337A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs7.8mOhm @ 160A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 12mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs928nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds12100pF @ 1000V
Puissance - Max1.409kW (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseur-

MSCSM120AM08T3AG Packaging

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Sealing
Packing
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MSCSM120AM08T3AG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MSCSM120AM08T3AG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the MSCSM120AM08T3AG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MSCSM120AM08T3AG?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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