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MIP35R12E1ATN-BP

MIP35R12E1ATN-BP

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Pour Référence Seulement

Référence MIP35R12E1ATN-BP
Fabricant Micro Commercial Co
Description IGBT MODULES
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MIP35R12E1ATN-BP

FabricantMicro Commercial Co
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)35 A
Puissance - Max227 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce2250 pF @ 25 V
ContributionThree Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseur-

MIP35R12E1ATN-BP Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

MIP35R12E1ATN-BP FAQ

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