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JAN2N7334

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Pour Référence Seulement

Référence JAN2N7334
Fabricant Microsemi Corporation
Description MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Fiche technique
paquet 14-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
En stock 3 328 piece(s)
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Spécifications JAN2N7334

FabricantMicrosemi Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet14-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
SériesMilitary, MIL-PRF-19500/597
Type de FET4 N-Channel
Fonction FETStandard
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1A
Rds sur (max) @ id, vgs700 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Puissance - Max1.4W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / cas14-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseurMO-036AB

JAN2N7334 Packaging

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Packing
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JAN2N7334 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of JAN2N7334?
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