| Référence | IXFH4N100Q |
|---|---|
| Fabricant | IXYS |
| Description | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-247-3 |
| ECAD |
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| En stock | 3 232 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 31 - juin 5 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | IXYS |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Séries | HiPerFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 150W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH4N100Q |
IXYS Corporation |
Single N-Channel 1000 V 150 W 82 nC Through Hole Power Mosfet - TO-247 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH4N100Q D# IXFH4N100Q-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH4N100Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
16008 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH4N100Q D# NS-IXFH4N100Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
1863 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH4N100Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
50 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFH4N100Q |
IXYS Corporation |
RFQ |
11353 |
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