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IRF1010ZPBF

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Pour Référence Seulement

Référence IRF1010ZPBF
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Fiche technique

IRF1010ZPBF Fiche technique

paquet TO-220-3
En stock 18 114 piece(s)
Prix unitaire $ 1,7000 *
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Spécifications IRF1010ZPBF

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
SériesHEXFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2840pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)140W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs7.5 mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

IRF1010ZPBF fiche technique

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