| Référence | IRF1010NLPBF |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| En stock | 7 440 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 23 - mai 28 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| ECAD |
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| Séries | HEXFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 85A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 180W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 11 mOhm @ 43A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-262 |
| Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010NLPBF |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010NLPBF D# IRF1010NLPBF-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 85A TO262 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010NLPBF D# NS-IRF1010NLPBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
7642 |
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