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IPP120N06S403AKSA2

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IPP120N06S403AKSA2

Pour Référence Seulement

Référence IPP120N06S403AKSA2
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
Fiche technique

IPP120N06S403AKSA2 Fiche technique

paquet TO-220-3
ECAD
En stock 4 720 piece(s)
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Spécifications IPP120N06S403AKSA2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 120µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs160nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds13150pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)167W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.2 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3-1
Paquet / casTO-220-3

IPP120N06S403AKSA2 fiche technique

IPP120N06S403AKSA2 Packaging

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Packing
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IPP120N06S403AKSA2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP120N06S403AKSA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP120N06S403AKSA2 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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Référence Fabricant Description Stock

IPP120N06S403AKSA2

D# IPP120N06S403AKSA2-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

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