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IPD530N15N3GBTMA1

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IPD530N15N3GBTMA1

Pour Référence Seulement

Référence IPD530N15N3GBTMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Fiche technique

IPD530N15N3GBTMA1 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 3 712 piece(s)
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Spécifications IPD530N15N3GBTMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesOptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C21A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 35µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds887pF @ 75V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)68W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs53 mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD530N15N3GBTMA1 fiche technique

IPD530N15N3GBTMA1 Packaging

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Packing
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IPD530N15N3GBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD530N15N3GBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD530N15N3GBTMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD530N15N3GBTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD530N15N3GBTMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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Référence Fabricant Description Stock

IPD530N15N3GBTMA1

D# IPD530N15N3GBTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

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