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IPD50N06S2L13ATMA1

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IPD50N06S2L13ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence IPD50N06S2L13ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Fiche technique

IPD50N06S2L13ATMA1 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 4 592 piece(s)
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Spécifications IPD50N06S2L13ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesOptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 80µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs12.7 mOhm @ 34A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N06S2L13ATMA1 fiche technique

IPD50N06S2L13ATMA1 Packaging

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Packing
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IPD50N06S2L13ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD50N06S2L13ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD50N06S2L13ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Référence Fabricant Description Stock

IPD50N06S2L13ATMA1

D# IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

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