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IPD15N06S2L64ATMA1

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IPD15N06S2L64ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence IPD15N06S2L64ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Fiche technique

IPD15N06S2L64ATMA1 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 7 568 piece(s)
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Spécifications IPD15N06S2L64ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesOptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C19A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 14µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds354pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)47W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs64 mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD15N06S2L64ATMA1 fiche technique

IPD15N06S2L64ATMA1 Packaging

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Packing
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IPD15N06S2L64ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD15N06S2L64ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD15N06S2L64ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD15N06S2L64ATMA1?
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D# IPD15N06S2L64ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD15N06S2L64ATMA1)

0
Référence Fabricant Description Stock

IPD15N06S2L64ATMA1

D# 2156-IPD15N06S2L64ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

2500
Référence Fabricant Description Stock

IPD15N06S2L64ATMA1

Infineon Technologies AG

IPD15N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant
2500

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