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IPD135N08N3GBTMA1

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IPD135N08N3GBTMA1

Pour Référence Seulement

Référence IPD135N08N3GBTMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Fiche technique

IPD135N08N3GBTMA1 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 2 048 piece(s)
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Spécifications IPD135N08N3GBTMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesOptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C45A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 33µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1730pF @ 40V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)79W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs13.5 mOhm @ 45A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO252-3
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD135N08N3GBTMA1 fiche technique

IPD135N08N3GBTMA1 Packaging

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IPD135N08N3GBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD135N08N3GBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPD135N08N3GBTMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD135N08N3GBTMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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IPD135N08N3GBTMA1 Produits Connexes

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0386308207 0386308207 Molex, LLC, CONN BARRIER STRIP 7CIRC 0.438", -, OptiMOS? Vue
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TV06DT-19-35HA TV06DT-19-35HA Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG MALE 66POS GOLD CRIMP, -, OptiMOS? Vue
RMC15A-1-N RMC15A-1-N Cosel USA, Inc., AC/DC PS (ENCLOSED TYPE), -, OptiMOS? Vue

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Référence Fabricant Description Stock

IPD135N08N3GBTMA1

D# IPD135N08N3GBTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

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