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IPB100N06S3-03

hot IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Pour Référence Seulement

Référence IPB100N06S3-03
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Fiche technique

IPB100N06S3-03 Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 5 536 piece(s)
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Spécifications IPB100N06S3-03

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesOptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 230µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs480nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds21620pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-3-2
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB100N06S3-03 fiche technique

IPB100N06S3-03 Packaging

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Packing
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IPB100N06S3-03 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB100N06S3-03 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB100N06S3-03. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB100N06S3-03 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB100N06S3-03 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB100N06S3-03?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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D# IPB100N06S3-03-ND

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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

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100 A, 55 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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