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IPB065N15N3GE8187ATMA1

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Référence IPB065N15N3GE8187ATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Fiche technique

IPB065N15N3GE8187ATMA1 Fiche technique

paquet TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
En stock 3 376 piece(s)
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Spécifications IPB065N15N3GE8187ATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
SériesOptiMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C130A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 270µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs93nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7300pF @ 75V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs6.5 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO263-7
Paquet / casTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

IPB065N15N3GE8187ATMA1 fiche technique

IPB065N15N3GE8187ATMA1 Packaging

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IPB065N15N3GE8187ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB065N15N3GE8187ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# IPB065N15N3GE8187ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

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