Name: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GE8187ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Fiche technique	IPB029N06N3GE8187ATMA1 Fiche technique
paquet	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock	5 200 piece(s)
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Spécifications IPB029N06N3GE8187ATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Séries	OptiMOS?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 118µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	188W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.2 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB029N06N3GE8187ATMA1 fiche technique

IPB029N06N3GE8187ATMA1 Packaging

IPB029N06N3GE8187ATMA1 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB029N06N3GE8187ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IPB029N06N3GE8187ATMA1 Produits Connexes

SIT1602BI-11-18S-33.333000G	SiTIME, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 3, -, OptiMOS?	Vue
SIT1602BC-23-25S-50.000000D	SiTIME, -20 TO 70C, 3225, 50PPM, 2.5V, 5, -, OptiMOS?	Vue
TCH35P390RJE	Ohmite, RES 390 OHM 35W 5% TO220, TO-220-2, OptiMOS?	Vue
RLR20C3012FRBSL	Vishay Dale, RES 30.1K OHM 1% 1/2W AXIAL, Axial, OptiMOS?	Vue
RN60D9420FB14	Vishay Dale, RES 942 OHM 1/4W 1% AXIAL, Axial, OptiMOS?	Vue
9T08052A2321BBHFT	Yageo, RES SMD 2.32K OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS?	Vue
P1812R-154G	API Delevan Inc., FIXED IND 150UH 140MA 6.432 MOHM, Nonstandard, OptiMOS?	Vue
ER1025-09JM	API Delevan Inc., FIXED IND 360NH 700MA 300 MOHM, Axial, OptiMOS?	Vue
FTSH-134-03-F-DV-P-TR	Samtec Inc., .050'' X .050 TERMINAL STRIP, -, OptiMOS?	Vue
KJA0T17F6SN	ITT Cannon, LLC, KJA 6C 6#12 SKT RECP, -, OptiMOS?	Vue
GEM30DTMN	Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 60POS 0.156, -, OptiMOS?	Vue
LED25W-40-C0500-D	Thomas Research Products, LED DRIVER CC AC/DC 13-40V 500MA, -, OptiMOS?	Vue

IPB029N06N3GE8187ATMA1 Des garanties

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Référence

Fabricant

Description

Stock

IPB029N06N3GE8187ATMA1

D# V36:1790_06383203

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

Référence

Fabricant

Description

Stock

IPB029N06N3GE8187ATMA1

D# IPB029N06N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB029N06N3GE8187ATMA1)

RoHS: Not Compliant

Référence

Fabricant

Description

Stock

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

Référence

Fabricant

Description

Stock

IPB029N06N3GE8187ATMA1

D# IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Référence

Fabricant

Description

Stock

IPB029N06N3GE8187ATMA1

D# 8269200

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB029N06N3GE8187ATMA1, PK

Min Qty: 10

Container: Package

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