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Référence | IKW30N65EL5XKSA1 |
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Fabricant | Infineon Technologies |
Description | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 |
Fiche technique | |
paquet | TO-247-3 |
ECAD | |
En stock | 6 784 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# V99:2348_06378646 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube RoHS: Compliant
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0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: IKW30N65EL5XKSA1) RoHS: Compliant
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# C1S322000642258 |
Infineon Technologies AG |
IGBT discrete RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Tube
|
810 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# IKW30N65EL5XKSA1IN-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 |
347 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# 2709886 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, SINGLE, 650V, 85A, TO-247 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
442 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
934 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# 726-IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 RoHS: Compliant
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289 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# 12AC9674 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, SINGLE, 650V, 85A, TO-247, DC Collector Current:85A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.05V, Power Dissipation Pd:227W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, Transistor Case Style:TO-247, No. of Pins:3Pins, RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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437 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IKW30N65 - Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode RoHS: Compliant
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82 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
644 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
14999 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# 45122575 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube RoHS: Compliant
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0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
IKW30N65EL5XKSA1 D# 2709886 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, SINGLE, 650V, 85A, TO-247 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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442 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
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MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
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FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM
TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC AXIAL
DIODE GEN PURP 600V 2A SMB