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HUFA75337S3ST

hot HUFA75337S3ST

HUFA75337S3ST

Pour Référence Seulement

Référence HUFA75337S3ST
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Fiche technique

HUFA75337S3ST Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 14 220 piece(s)
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Spécifications HUFA75337S3ST

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs109nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1775pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)175W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs14 mOhm @ 75A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK (TO-263AB)
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

HUFA75337S3ST fiche technique

HUFA75337S3ST Packaging

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Packing
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  • 6. What is the process for return or replacement of HUFA75337S3ST?
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D# HUFA75337S3ST

ON Semiconductor

TAPE AND REEL HUF75337S3S - Bulk (Alt: HUFA75337S3ST)

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0
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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

10860
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D# 2156-HUFA75337S3ST-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

10860
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VBsemi Electronics Co Ltd

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Rochester Electronics LLC

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Fairchild Semiconductor Corporation

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Fairchild Semiconductor Corporation

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