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GA100JT12-227

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Pour Référence Seulement

Référence GA100JT12-227
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Description TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Fiche technique
paquet SOT-227-4, miniBLOC
ECAD
En stock 6 432 piece(s)
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Spécifications GA100JT12-227

FabricantGeneSiC Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSOT-227-4, miniBLOC
ECAD
Séries-
Type de FET-
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C160A
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds14400pF @ 800V
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)535W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs10 mOhm @ 100A
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-227
Paquet / casSOT-227-4, miniBLOC

GA100JT12-227 Packaging

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Sealing
Packing
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GA100JT12-227 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA100JT12-227 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA100JT12-227. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA100JT12-227 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA100JT12-227 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GA100JT12-227 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA100JT12-227?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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GA100JT12-227 Produits Connexes

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V10m? SOT-227

RoHS: Compliant
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D# GS0000000001930

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V10m? SOT-227

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