| Référence | FQE10N20LCTU |
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| Fabricant | Fairchild/ON Semiconductor |
| Description | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-225AA, TO-126-3 |
| ECAD |
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| En stock | 6 112 piece(s) |
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| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
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| Fabricant | Fairchild/ON Semiconductor |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-225AA, TO-126-3 |
| ECAD |
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| Séries | QFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 12.8W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 360 mOhm @ 2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-126 |
| Paquet / cas | TO-225AA, TO-126-3 |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQE10N20LCTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQE10N20LCTU D# FQE10N20LCTU-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQE10N20LCTU D# NS-FQE10N20LCTU |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
8754 |
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