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FQD8P10TF_NB82052

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FQD8P10TF_NB82052

Pour Référence Seulement

Référence FQD8P10TF_NB82052
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Fiche technique

FQD8P10TF_NB82052 Fiche technique

paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 2 592 piece(s)
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Spécifications FQD8P10TF_NB82052

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesQFET?
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds470pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs530 mOhm @ 3.3A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD-Pak
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD8P10TF_NB82052 fiche technique

FQD8P10TF_NB82052 Packaging

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Packing
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FQD8P10TF_NB82052 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that FQD8P10TF_NB82052 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FQD8P10TF_NB82052?
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MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

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