| Référence | FQD4N50TM_WS |
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| Fabricant | Fairchild/ON Semiconductor |
| Description | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| En stock | 2 800 piece(s) |
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| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
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| Fabricant | Fairchild/ON Semiconductor |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Séries | QFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D-Pak |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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ESQT-117-03-G-6-375 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, QFET? | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQD4N50TM_WS D# FQD4N50TM_WS |
Rochester Electronics LLC |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Bulk (Alt: FQD4N50TM_WS) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQD4N50TM_WS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQD4N50TM_WS D# FQD4N50TM_WS-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
FQD4N50TM_WS D# NS-FQD4N50TM_WS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
5198 |
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