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FDC2612_F095

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Pour Référence Seulement

Référence FDC2612_F095
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Fiche technique

FDC2612_F095 Fiche technique

paquet SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
En stock 3 568 piece(s)
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Spécifications FDC2612_F095

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SériesPowerTrench?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.1A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds234pF @ 100V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.6W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs725 mOhm @ 1.1A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSuperSOT?-6
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC2612_F095 fiche technique

FDC2612_F095 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that FDC2612_F095 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the FDC2612_F095 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of FDC2612_F095?
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Fairchild Semiconductor Corporation

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