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F3L150R12W2H3BOMA1

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Pour Référence Seulement

Référence F3L150R12W2H3BOMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description F3L150R12W2H3B - IGBT
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications F3L150R12W2H3BOMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
Configuration-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)-
Courant - Collecteur (Ic) (Max)-
Puissance - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Current - Collector Cutoff (Max)-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce-
Contribution-
Thermistance NTC-
Température de fonctionnement-
Type de montage-
Paquet / cas-
Package de périphérique fournisseur-

F3L150R12W2H3BOMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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F3L150R12W2H3BOMA1 FAQ

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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