Référence | EPC2019ENG |
---|---|
Fabricant | EPC |
Description | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
Fiche technique | |
paquet | Die |
ECAD | |
En stock | 2 288 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
Temps de livraison estimé | juin 30 - juil. 5 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
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