Référence | EPC2010CENGR |
---|---|
Fabricant | EPC |
Description | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
Fiche technique | |
paquet | Die |
ECAD | |
En stock | 4 864 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
Temps de livraison estimé | mai 23 - mai 28 (Choisissez l'expédition accélérée) |
Demander un Devis |
|
Méthodes de paiement | |
Services de livraison |
Nous garantissons la satisfaction du client à 100%.
Notre équipe de vente expérimentée et notre équipe d'assistance technique recourent à nos services pour satisfaire tous nos clients.
Nous fournissons une garantie de 90 jours.
Si les articles que vous avez reçus n'étaient pas de qualité parfaite, nous serions responsables de votre remboursement ou de votre remplacement, mais les articles doivent être retournés dans leur état d'origine.
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
Avez-vous une question à propos de EPC2010CENGR?
86-755-83210559-843
Scannez pour afficher cette page
TVS DIODE 5VWM 12.5VC SC70-6
PAIRS, IR, SINGLE PARTS: V420P/S
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64TQFP
IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-SOIC
IC 2.88V W/PB 10% SOT23-3
IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP
OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP
TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMB
TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD