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BUK98180-100A,115

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BUK98180-100A,115

Pour Référence Seulement

Référence BUK98180-100A,115
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
Fiche technique

BUK98180-100A,115 Fiche technique

paquet TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Spécifications BUK98180-100A,115

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SériesAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds619pF @ 25V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)8W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs173 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-223
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

BUK98180-100A,115 fiche technique

BUK98180-100A,115 Packaging

Customized Labels
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Packing
Insepction

BUK98180-100A,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK98180-100A,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BUK98180-100A,115 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# 568-9714-2-ND

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223

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1023
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NXP Semiconductors

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