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BSP295E6327T

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Pour Référence Seulement

Référence BSP295E6327T
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Fiche technique

BSP295E6327T Fiche technique

paquet TO-261-4, TO-261AA
ECAD
En stock 4 752 piece(s)
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Spécifications BSP295E6327T

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SériesSIPMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.8A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 400µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds368pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs300 mOhm @ 1.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-SOT223-4
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

BSP295E6327T fiche technique

BSP295E6327T Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BSP295E6327T FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP295E6327T is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSP295E6327T price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSP295E6327T?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSP295E6327T we delivered, we will accept the replacement or return of the BSP295E6327T only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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